特許

J-GLOBAL ID：201303001449529264

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-010898
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175718
出願日： 2013年01月24日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：

【課題】電気特性の優れた酸化物半導体を用いるトランジスタの生産性を高める。【解決手段】酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜及びゲート電極を有するトップゲート構造のトランジスタにおいて、酸化物半導体膜上に金属膜を形成し、該金属膜に酸素を導入して金属酸化膜を形成し、該金属酸化膜をゲート絶縁膜として用いる。なお、酸化物半導体膜上に酸化絶縁膜を形成した後、酸化絶縁膜上に金属膜を形成してもよい。また、金属膜に酸素を導入して金属酸化膜を形成すると共に、酸化物半導体膜または酸化絶縁膜に酸素を導入する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

酸化絶縁膜上に素子分離された酸化物半導体膜を形成し、 前記酸化物半導体膜を覆う金属膜を形成した後、前記金属膜に酸素を導入して、ゲート絶縁膜として機能する金属酸化膜を形成し、 前記金属酸化膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (12件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/105 ,  G02F 1/136

FI (19件)：

H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 615 ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 671Z ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 441 ,  G02F1/1368

Fターム (191件)：

2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KA08 ,  2H092NA21 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA05 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104DD75 ,  4M104DD92 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF21 ,  4M104FF26 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH04 ,  4M104HH10 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F083AD02 ,  5F083AD14 ,  5F083AD69 ,  5F083BS01 ,  5F083BS13 ,  5F083BS27 ,  5F083EP22 ,  5F083EP75 ,  5F083GA02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA44 ,  5F083JA58 ,  5F083LA02 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR09 ,  5F083PR22 ,  5F083PR29 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F101BA17 ,  5F101BB17 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BD40 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF02 ,  5F101BF03 ,  5F101BF09 ,  5F101BH09 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16 ,  5F101BH17 ,  5F101BH19 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ22 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HM02 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN35 ,  5F110NN39 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 金属酸化物半導体、その製造方法、及びそれを用いた薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-103640   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-280294   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタおよび表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-174469   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-022501   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタおよび表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-152754   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-334616   出願人：松下電器産業株式会社