FET型センサを用いたインフルエンザウイルスRNAの検出方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-189768
公開番号（公開出願番号）：特開2013-050426
出願日： 2011年08月31日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：

【課題】インフルエンザウイルス感染症の診断において、型別確定診断を短時間でかつ高感度にて行いうる手段を提供する。【解決手段】センシング部に標的とするインフルエンザウイルスRNAとハイブリダイゼーションしうる一本鎖核酸が固定化されてなるFET型センサを用いる。該FETセンサに試料溶液を供給することによって、センシング部に作用するイオン濃度に応じて変化したポテンシャル井戸の深さと、ポテンシャル井戸からの汲み出し回数に応じ、電位リセット後の浮遊拡散部が蓄積する電荷量を電位変化として検出する。検出された電位変化に基づいて、試料溶液中のインフルエンザウイルスRNAの有無およびその濃度を判定する。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

P型またはN型半導体基板の表面側に所定の間隔を置いて形成された、基板と逆型の拡散領域からなる入力ダイオード部および浮遊拡散部と、前記入力ダイオード部から浮遊拡散部までの間に形成されるべき導通チャネルの始端および終端にそれぞれ対応した基板表面上の位置に、絶縁膜を介して固定された入力ゲートおよび出力ゲートと、前記チャネルの中間部に対応した基板表面上の位置に、絶縁膜を介して固定されたイオン感応膜からなるセンシング部と、前記浮遊拡散部の、前記チャネルから離れた側に連なる前記基板表面上の位置に、絶縁膜を介して固定されたリセットゲートと、前記リセットゲートにおける前記浮遊拡散部から離れた側の前記基板表面部に形成された、基板と逆型の拡散領域からなるリセットダイオード部とを備え、前記センシング部に、標的とするインフルエンザウイルスRNAとハイブリダイゼーションしうる一本鎖核酸が固定化されてなるFET型センサを用いた試料溶液中のインフルエンザウイルスRNAの検出方法であって、前記試料溶液を前記センシング部に供給する工程と、前記試料溶液の供給によって前記センシング部に作用するイオン濃度に応じて変化したポテンシャル井戸の深さと、そのポテンシャル井戸からの汲み出し回数に応じ、電位リセット後の前記浮遊拡散部が蓄積する電荷量を電位変化として検出する工程と、検出された前記電位変化に基づいて、前記試料溶液中の前記インフルエンザウイルスRNAの有無およびその濃度を判定する工程と、を含む、FET型センサを用いた試料溶液中のインフルエンザウイルスRNAの検出方法。

IPC (1件)：

G01N 27/414

FI (4件)：

G01N27/30 301X , G01N27/30 301V , G01N27/30 301K , G01N27/30 301U

引用特許：

審査官引用 (5件)

特許第4195859号
有機物質及び生化学物質を同定する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-513576 出願人：エルハーオー-ベストコーティングハルトストフベシュイッヒトゥングスゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
核酸検出用センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-168594 出願人：株式会社東芝

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