特許
J-GLOBAL ID：201303003843454175
薄膜製造方法及び薄膜製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
石島 茂男
, 阿部 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-267271
公開番号（公開出願番号）：特開2013-119645
出願日： 2011年12月06日
公開日（公表日）： 2013年06月17日
要約：
【課題】基板への成膜の際にマスク上に付着した膜を綺麗にクリーニングし、マスクを基板の成膜に繰り返し使用する成膜方法とクリーニング方法とその装置とを提供することにある。【解決手段】基板への成膜の前に予めマスク本体11に剥離可能な犠牲層12を形成し、犠牲層12が形成されたマスク本体11を用いて基板13表面に蒸気を到達させて薄膜15を形成する。このとき、蒸気は犠牲層12表面にも到達して犠牲層12表面にも付着膜14が形成されるが、付着膜14の微小な隙間から犠牲層12表面の一部が露出しており、露出した犠牲層12と、プラズマ中のイオンやラジカルとを接触させ、犠牲層12を反応させてガス化し、犠牲層12をマスク本体11から除去する。これにより、犠牲層12表面に形成された付着膜14をマスク本体11上から綺麗に除去することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
マスク本体の前面に有機薄膜から成る第一の犠牲層が形成された第一のマスクの背面に第一の基板を配置し、真空雰囲気中で、薄膜を形成するための第一の粒子に前記第一のマスクの貫通孔を通過させ、前記第一の基板の表面に到着させて前記第一の基板の表面にパターニングされた第一の薄膜を形成し、
前記第一のマスクに付着した前記第一の粒子によって形成された付着膜は、前記第一の犠牲層をクリーニングガスのプラズマによってエッチング除去して前記マスク本体から剥離させ、前記マスク本体の前記前面を露出させ、
前記マスク本体に犠牲層用粒子を到達させ、前記マスク本体の前記前面に第二の犠牲層を形成して第二のマスクを構成させ、前記第二のマスクの前記背面に第二の基板を配置して、第二の粒子に前記第二のマスクの貫通孔を通過させ、パターニングされた第二の薄膜を前記第二の基板の表面に形成する薄膜製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/00
, C23C 14/04
, H01L 21/203
, H05B 33/10
, H01L 51/50
C23C14/00 B
, C23C14/04 A
, H01L21/203 Z
, H05B33/10
, H05B33/14 A
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107BB02
, 3K107CC45
, 3K107GG02
, 3K107GG28
, 3K107GG33
, 4K029BA62
, 4K029BB03
, 4K029CA01
, 4K029DA09
, 4K029DB11
, 4K029FA09
, 4K029HA01
, 5F103AA01
, 5F103BB11
, 5F103BB16
, 5F103DD25
, 5F103LL01
, 5F103LL04
, 5F103PP08
, 5F103RR08
