特許
J-GLOBAL ID：201303003909143800
銅薄膜の化学的気相成長法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
清水 善廣
, 阿部 伸一
, 辻田 幸史
, 町田 悦夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-390346
公開番号（公開出願番号）：特開2002-194545
特許番号：特許第4717202号
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 化学的気相成長法により基板上に銅薄膜を成長させる方法において、前記銅薄膜の形成用原料ガスが、ビス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)銅(II)、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅(I)トリメチルビニルシラン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅(I)ビストリメチルシリルアセチレン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅(I)1,5-シクロオクタジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅(I)2-ブチン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅(I)トリエチルフォスフィン、シクロペンタジエニル銅(I)トリエチルフォスフィン、Cu(I)t-ブトキシド、Cu(I)t-ブトキシドカルボニルから選ばれた前駆物質を含むガスであって、該基板上に、β-ジケトン基を有し、異種原子として酸素原子のみを含む脂肪族ケトン化合物のガスを供給することを特徴とする銅薄膜の化学的気相成長法。
IPC (3件)：
C23C 16/18 ( 200 6.01)
, C23C 14/14 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
C23C 16/18
, C23C 14/14 D
, H01L 21/285 C
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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