特許
J-GLOBAL ID：201303004118544092
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-089801
公開番号（公開出願番号）：特開2013-141038
出願日： 2013年04月22日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：
【課題】高輝度化の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、第1電極層と、第2電極層と、を備える。第1電極層は、第2半導体層の第1半導体層とは反対側に設けられ、第2半導体層と接する金属部と、第1半導体層から第2半導体層に向かう方向に沿って金属部を貫通し前記方向に沿って見たときの形状の円相当直径が10ナノメートル以上5マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。第2電極層は、第1半導体層と導通する。第2半導体層は、凸部と、凸部よりも前記方向に後退した凹部と、を有する。凸部及び凹部のいずれか一方は、金属部と接するとともに、金属部との接触界面に設けられた光吸収層を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電形の第1半導体層と、
第2導電形の第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、
前記第2半導体層の前記第1半導体層とは反対側に設けられ、前記第2半導体層と接する金属部と、前記第1半導体層と第2半導体層とを結ぶ方向に沿って前記金属部を貫通し前記方向に沿って見たときの形状の円相当直径が10ナノメートル以上5マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する第1電極層と、
前記第1半導体層と導通する第2電極層と、
を備え、
前記第2半導体層は、凸部と、前記凸部よりも前記方向に後退した凹部と、を有し、
前記凸部及び前記凹部のいずれか一方は、前記金属部と接するとともに、前記金属部との接触界面に設けられた光吸収層を含む半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 210
, H01L33/00 172
5F141AA03
, 5F141AA04
, 5F141AA31
, 5F141AA33
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA12
, 5F141CA37
, 5F141CA40
, 5F141CA73
, 5F141CA74
, 5F141CA84
, 5F141CA85
, 5F141CA86
, 5F141CA92
, 5F141CA93
, 5F141CA98
, 5F141CA99
, 5F141CB15
, 5F141CB36
