特許
J-GLOBAL ID：200903090031125116
窒化物半導体を用いた発光ダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-295383
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135311
出願日： 2005年10月07日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】活性層で生じた光をより多く素子外に取り出すことができる構成を付与することによって、発光効率の優れた窒化物LEDを提供すること。【解決手段】基板101上に窒化物半導体層からなる積層体が形成された素子構造を有する発光ダイオードである。該積層体101には、基板側から、第1のn型窒化物半導体層102と、窒化物半導体からなる活性層103と、p型窒化物半導体層104と、第2のn型窒化物半導体層105とがこの順に含まれている。前記積層体の最上層の上面は一部または全部が凹凸面Sとされており、かつ、前記第2のn型窒化物半導体層105には、前記p型窒化物半導体層104へ正孔を注入するためのp側電極P102が形成されている。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物半導体層からなる積層体が形成され、該積層体には、基板側から、第1のn型窒化物半導体層と、窒化物半導体からなる活性層と、p型窒化物半導体層と、第2のn型窒化物半導体層とがこの順に含まれており、
上記積層体の最上層の上面は一部または全部が凹凸面とされており、かつ、上記第2のn型窒化物半導体層には、上記p型窒化物半導体層へ正孔を注入するためのp側電極が形成されていることを特徴とする、発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA83
, 5F041CA93
, 5F041CA99
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (11件)
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