特許

J-GLOBAL ID：201303004165127360

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  坂田 淳一郎 ,  細羽 みゆき ,  高橋 辰也
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-057511
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168659
出願日： 2013年03月21日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：

【課題】半導体装置の開口率を向上させる。【解決手段】同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する駆動回路及び第2の薄膜トランジスタを有する画素を有し、前記第1の薄膜トランジスタは、第1のゲート電極層と、ゲート絶縁層と、第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物導電層及び第2の酸化物導電層と、前記第1の酸化物半導体層の一部に接し、且つ前記第1の酸化物導電層及び前記第2の酸化物導電層の周縁及び側面に接する酸化物絶縁層と、第1のソース電極層と、第1のドレイン電極層と、を有し、前記第2の薄膜トランジスタは、第2のゲート電極層と、第2の酸化物半導体層と、透光性を有する材料により構成された第2のソース電極層及び第2のドレイン電極層と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同一基板上に第1のトランジスタを有する駆動回路及び第2のトランジスタを有する画素を有し、 前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z

Fターム (102件)：

2H192AA24 ,  2H192BA25 ,  2H192BB02 ,  2H192BB13 ,  2H192BB53 ,  2H192BC12 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CB53 ,  2H192CC04 ,  2H192CC22 ,  2H192CC24 ,  2H192DA12 ,  2H192EA74 ,  2H192FB15 ,  2H192HA44 ,  2H192HA90 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107BB06 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA13 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN13 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-160651   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-284538   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 放射線検出装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-051481   出願人：キヤノン株式会社
• 液晶装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-301251   出願人：セイコーエプソン株式会社