特許
J-GLOBAL ID：201303004884641105

半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム

発明者：
湯浅 和宏

湯浅 和宏 について

, 
赤江 尚徳

赤江 尚徳 について

, 
寺崎 昌人

寺崎 昌人 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-176570
公開番号（公開出願番号）：特開2013-084911
出願日： 2012年08月09日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：
【課題】 酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性等を向上させる。【解決手段】 大気圧未満の圧力下にある処理容器内の第1の温度に加熱された基板に対して、第1の原料ガスを供給する工程と、酸化ガスおよび還元ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、基板上に酸化膜を形成する工程と、処理容器内の第1の温度以上第2の温度以下の温度に加熱された基板に対して窒化ガスを供給することにより、酸化膜の表面にシード層を形成する工程と、処理容器内の第2の温度に加熱された基板に対して、第2の原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜の表面に形成されたシード層上に窒化膜を形成する工程と、を行う。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
大気圧未満の圧力下にある処理容器内の第1の温度に加熱された基板に対して、第1の原料ガスを供給する工程と、酸化ガスおよび還元ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上に酸化膜を形成する工程と、 前記処理容器内の前記第1の温度以上第2の温度以下の温度に加熱された前記基板に対して窒化ガスを供給することにより、前記酸化膜の表面にシード層を形成する工程と、 前記処理容器内の前記第2の温度に加熱された前記基板に対して、第2の原料ガスを供給する工程と、前記窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、前記酸化膜の表面に形成された前記シード層上に窒化膜を形成する工程と、 を有する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40
FI (6件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/318 C ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316 M ,  H01L21/318 M
Fターム (22件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM