成膜装置、成膜方法及び記憶媒体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-029193
公開番号（公開出願番号）：特開2011-103496
出願日： 2011年02月14日
公開日（公表日）： 2011年05月26日
要約：

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。【解決手段】回転テーブルの回転方向に互いに離れた第1、第2の処理領域に夫々第1の反応ガス及び第2の反応ガスを供給する第1の反応ガス供給手段と第2の反応ガス供給手段とを設ける。前記回転方向において第1、第2の処理領域の間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設ける。さらに前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第1の処理領域及び第2の処理領域に夫々対応する真空容器の側壁部位に一方及び他方の真空排気口を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

真空容器内にて、互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給するサイクルを実行して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置であって、前記真空容器内に設けられた回転テーブルと、この回転テーブルに基板を載置するために設けられた基板載置領域と、前記回転テーブルの回転方向に互いに離れて設けられ、前記回転テーブルにおける基板の載置領域側の面に夫々第1の反応ガス及び第2の反応ガスを供給するための第1の反応ガス供給手段及び第2の反応ガス供給手段と、前記第1の反応ガスが供給される第1の処理領域と前記第2の反応ガスが供給される第2の処理領域との雰囲気を分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、第1の分離ガスを供給する分離ガス供給手段を含む分離領域と、前記第1の処理領域と前記第2の処理領域との雰囲気を分離するために前記真空容器の中心部に位置し、前記第1の処理領域、前記第2の処理領域及び前記分離領域において前記基板に沿って第2の分離ガスを吐出する吐出孔が形成された中心部領域と、前記真空容器内の雰囲気を排気するために、前記第1の処理領域における回転テーブルの外側、及び前記第2の処理領域における回転テーブルの外側に夫々設けられた一方の排気口及び他方の排気口と、前記第1の処理領域及び前記第2の処理領域のいずれかにおける、前記真空容器の周壁に形成され、前記基板の通過を許容する搬送口と、を備え、前記分離領域は、第1の分離ガスを供給する分離ガス供給手段と、前記第1の分離ガスが前記回転方向に対し当該分離領域から前記第1の処理領域側及び前記第2の処理領域側へ流れることができる狭隘な空間を回転テーブルとの間に形成するための天井面と、を含むことを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , C23C 16/455

FI (4件)：

H01L21/31 B , H01L21/316 B , H01L21/318 M , C23C16/455

Fターム (58件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA40 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030BA46 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030GA12 , 4K030HA01 , 4K030KA08 , 4K030KA10 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045BB04 , 5F045DP14 , 5F045DP27 , 5F045EE14 , 5F045EE20 , 5F045EF01 , 5F045EF03 , 5F045EF05 , 5F045EF07 , 5F045EF08 , 5F045EF17 , 5F045EF20 , 5F045EM10 , 5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (8件)

回転サセプタを備える半導体処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-066095 出願人：日本エー・エス・エム株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-168141 出願人：東京エレクトロン株式会社, テル・バリアン株式会社
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-068189 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る