特許
J-GLOBAL ID：201103093588532048

半導体装置の製造方法および基板処理装置

発明者：
笹島 亮太

笹島 亮太 について

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▲ひろせ▼ 義朗

▲ひろせ▼ 義朗 について

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太田 陽介

太田 陽介 について

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赤江 尚徳

赤江 尚徳 について

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横澤 光治郎

横澤 光治郎 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-215398
公開番号（公開出願番号）：特開2011-129877
出願日： 2010年09月27日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：
【課題】 本発明の目的は、高温での酸化膜形成におけるリスクを回避しつつ酸化膜の膜質を向上させ、電気特性を改善することにある。また、本発明の他の目的は、酸化膜形成の際に、下地となる材料の消費を最小限に抑え、微細な構造への適正な酸化膜形成を実現することにある。 【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給し排気して、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し排気して、所定元素含有層を酸化層に変化させる工程と、を交互に繰り返して、基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し排気して、基板上に形成された酸化膜を改質する工程と、を有する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給し排気して、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、 加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある前記処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し排気して、前記所定元素含有層を酸化層に変化させる工程と、 を交互に繰り返して、前記基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程と、 加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある前記処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し排気して、前記基板上に形成された前記酸化膜を改質する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/56
FI (5件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/316 P ,  H01L21/31 C ,  C23C16/455 ,  C23C16/56
Fターム (44件)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BH03 ,  5F058BH16
引用特許：
審査官引用 (8件)
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