特許
J-GLOBAL ID：201303007057819467

グラファイト薄膜の製造方法

発明者：
前田 文彦

前田 文彦 について

, 
日比野 浩樹

日比野 浩樹 について

, 
高村 真琴

高村 真琴 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-025925
公開番号（公開出願番号）：特開2013-163600
出願日： 2012年02月09日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：
【課題】自由度の高い成長条件で、大規模集積化のための微細加工に適した大きさで、かつ単一結晶領域が実用的な大きさであり、欠陥が少ない高品質で、層数を原子層単位で精密に制御したグラフェンの層が、実用的な成長速度で形成できるようにする【解決手段】まず、第1工程S101で、処理室の内部に基板を配置して処理室内を分子流領域の圧力に減圧する。処理室は、密閉可能な容器であり、また、処理室には、いわゆる真空ポンプなどの減圧機構が接続されている。次に、第2工程S102で、エチレンガスを処理室の内部で電圧の印加により加熱したフィラメントからなる分解手段を通過させることで分解して基板の上に送出し、基板の表面にグラフェンの層を形成する。この工程において、上記フィラメントの加熱は、1800°C以上にすればよい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理室の内部に基板を配置して前記処理室内を分子流領域の圧力に減圧する第1工程と、 エチレンガスを前記処理室の内部で電圧の印加により加熱したフィラメントからなる分解手段を通過させることで分解して前記基板の上に送出し、前記基板の表面にグラフェンの層を形成する第2工程と を少なくとも備えることを特徴とするグラファイト薄膜の製造方法。
IPC (1件)：
C01B 31/02
FI (1件)：
C01B31/02 101Z
Fターム (9件)：
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC03 ,  4G146BC04 ,  4G146BC09 ,  4G146BC33B ,  4G146BC41
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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