特許
J-GLOBAL ID：201303007528669711
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288774
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110183
特許番号：特許第4707204号
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 外部から供給されるクロックに同期して動作する半導体記憶装置において、
外部から供給される前記クロックから入力側内部クロックを生成する第1の回路を設け、
前記第1の回路は、前記クロックをバッファリングするバッファ回路であり、
前記クロック及び前記入力側内部クロックはそれぞれ相補信号であり、前記クロックと基準電圧との交点が入力データ、コマンド及びアドレスのセットアップ時間とホールド時間を定める規定点として定義されており、
外部から供給される前記クロックからデータ出力用の出力ストローブ信号を生成して外部に出力する第2の回路を設け、
前記クロック及び前記第2の回路が出力する前記出力ストローブ信号はそれぞれ相補信号であって、該出力ストローブ信号のクロスポイントが出力データの確定期間を定める規定点として定義されていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/407 ( 200 6.01)
, G11C 11/4076 ( 200 6.01)
G11C 11/34 362 S
, G11C 11/34 354 C
