特許
J-GLOBAL ID：201303008355348880
スパッタリングターゲットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-128359
公開番号（公開出願番号）：特開2001-303243
特許番号：特許第5038553号
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一般式:MSix(式中、MはW、Mo、Ta、Ti、Zr、Hf、NiおよびCoから選ばれる少なくとも1種の元素を、xは2〜4の範囲の数を示す)
で表される金属シリサイドにより構成され、かつ連鎖状に形成された金属シリサイド相と、過剰なSi粒子が結合して形成され、前記金属シリサイド相の間隙に不連続に存在するSi相とを含む微細組織を有し、ビッカース硬さで1300Hv以下の硬度を有し、かつ全体のビッカース硬さのバラツキが±20%以内であるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
前記金属シリサイドからなるターゲット素材を作製する工程と、
前記ターゲット素材を1250°Cを超え1400°C以下の温度で2〜10時間熱処理し、前記ターゲット素材の硬度をビッカース硬さで1300Hv以下、かつ前記ターゲット素材全体のビッカース硬さのバラツキを±20%以内とする工程と、
前記ターゲット素材を所望の寸法に加工し、スパッタ面の表面粗さが最大高さRyで2μm以下、ゆがみ値Rskで-3〜+3の範囲となるようにポリッシング加工またはCMPにより表面を加工する工程と
を具備することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/34 ( 200 6.01)
, H01L 21/203 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
, C22C 28/00 ( 200 6.01)
C23C 14/34 A
, H01L 21/203 S
, H01L 21/28 301 S
, H01L 21/285 S
, C22C 28/00 Z
