特許
J-GLOBAL ID：201303009371312477

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-000333
公開番号（公開出願番号）：特開2013-110427
出願日： 2013年01月07日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜に酸素をドープし、前記第1の絶縁膜中に酸素を供給し、 前記酸素が供給された第1の絶縁膜上に、酸化物半導体膜を形成し、 前記酸化物半導体膜に熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素を低減し、 前記水素が低減された酸化物半導体膜に酸素をドープし、前記酸化物半導体膜中に酸素を供給し、 前記酸素が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、 前記第2の絶縁膜上に、前記酸化物半導体膜と重なるようにゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (16件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/105 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (14件)：
H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 321 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301B ,  H01L27/10 441 ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/00 338 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (191件)：
3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD26 ,  4M104DD28 ,  4M104DD33 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD62 ,  4M104DD63 ,  4M104DD71 ,  4M104DD75 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE06 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF02 ,  4M104FF08 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF21 ,  4M104FF26 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH05 ,  4M104HH10 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  5C094AA21 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094EA10 ,  5C094FB14 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5F083AD02 ,  5F083AD10 ,  5F083AD14 ,  5F083AD69 ,  5F083EP22 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP75 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR07 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA20 ,  5F101BA17 ,  5F101BD07 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BD39 ,  5F101BD40 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF01 ,  5F101BF02 ,  5F101BF03 ,  5F101BF09 ,  5F101BH16 ,  5F101BH18 ,  5F101BH26 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110QQ02 ,  5G435AA14 ,  5G435AA16 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435HH13 ,  5G435HH14 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05 ,  5G435LL04
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM