特許
J-GLOBAL ID：201303010270238800

光電変換装置

発明者：
田中 幸一郎

田中 幸一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-056574
公開番号（公開出願番号）：特開2013-191714
出願日： 2012年03月14日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：
【課題】機械的強度および電気特性の良好な光電変換装置を提供する。【解決手段】短軸方向の断面が略V字型となる溝が複数隣接する構造を表裏に有するシリコン基板と、シリコン基板に形成されるp-n接合領域と、キャリアを取り出すための一対の電極と、を有し、シリコン基板の一方の面または他方の面から見て、シリコン基板が表裏に有する溝は、15°乃至60°の角度で交差しており、かつシリコン基板の劈開面と交差するように形成された構造とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一導電型を有し、短軸方向の断面が略V字型となる溝が複数隣接する構造を表裏に有するシリコン基板と、 前記シリコン基板の一方の面に形成された、前記シリコン基板とは逆の導電型を有する第1の半導体層と、 前記第1の半導体層上に形成された透光性薄膜と、 前記第1の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、 前記シリコン基板の他方の面に形成された、前記シリコン基板と同じ導電型を有し、前記シリコン基板よりもキャリア濃度の高い第2の半導体層と、 前記第2の半導体層と電気的に接続された第2の電極と、 を有し、 前記シリコン基板の一方の面または他方の面から見て、前記シリコン基板が表裏に有する溝は、15°乃至60°の角度で交差しており、かつ前記シリコン基板の劈開面と交差するように形成されていることを特徴とする光電変換装置。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 H
Fターム (30件)：
5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA05 ,  5F151AA07 ,  5F151AA16 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CA07 ,  5F151CA08 ,  5F151CA16 ,  5F151CA35 ,  5F151CA36 ,  5F151CB14 ,  5F151CB20 ,  5F151CB22 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151DA10 ,  5F151FA02 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA08 ,  5F151FA10 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151FA25 ,  5F151GA04 ,  5F151GA14 ,  5F151HA03
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 太陽電池の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-330381   出願人：シャープ株式会社
  • 太陽電池及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-086709   出願人：三洋電機株式会社
  • 光電変換素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-029143   出願人：トヨタ自動車株式会社
引用文献：
審査官引用 (1件)

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