特許
J-GLOBAL ID：201303010707627054
窒化物半導体層の成長方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
渡邊 隆
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-002389
公開番号（公開出願番号）：特開2013-142057
出願日： 2013年01月10日
公開日（公表日）： 2013年07月22日
要約：
【課題】基板上に窒化物半導体層を成長させる時に、格子定数差や熱膨脹係数差によって引き起こされる引張応力によるクラックやボーイングを低減させる窒化物半導体層の成長方法を提供する。【解決手段】反応器5内に基板1を用意する段階と、第1温度で基板1上に前記基板1と異なる熱膨脹係数を持つ第1窒化物半導体20を成長させる段階と、第2温度で基板1を除去する段階と、を含む窒化物半導体層の成長方法。前記第1窒化物半導体の成長前に前記基板上にバッファ層10を形成する段階をさらに含み、前記バッファ層10上に前記第1窒化物半導体20を成長させてもよい。また、一次的に積層された第1窒化物半導体20上にさらに第2窒化物半導体を積層して所望の厚さの窒化物半導体層を得ることもできる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
反応器内に基板を用意する段階と、
第1温度で前記基板上に前記基板と異なる熱膨脹係数を持つ第1窒化物半導体を成長させる段階と、
第2温度で前記基板を除去する段階と、を含む窒化物半導体層の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, H01L 21/205
, C23C 16/01
C30B29/38 D
, H01L21/205
, C23C16/01
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077EA02
, 4G077EF03
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
, 4G077TB03
, 4G077TC06
, 4G077TC13
, 4G077TC17
, 4G077TK11
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030FA10
, 4K030JA10
, 5F045AA01
, 5F045AB14
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AF03
, 5F045BB13
, 5F045DA53
