特許
J-GLOBAL ID：201303011240773414

半導体発光素子

発明者：
下川 一生

下川 一生 について

, 
小幡 進

小幡 進 について

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樋口 和人

樋口 和人 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-204529
公開番号（公開出願番号）：特開2013-065773
出願日： 2011年09月20日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：
【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。【解決手段】実施形態によれば、基板と、積層体と、第1電極と、第2電極と、反射層と、を含む半導体発光素子が提供される。前記基板は、主面を有する。前記積層体は、第1半導体層と、発光部と、第2半導体層と、を含む。前記第1半導体層は、前記主面上に設けられ、第1部分と、前記第1部分と並置された第2部分と、を有し、第1導電形である。前記発光部は、前記第2部分上に設けられる。前記第2半導体層は、前記発光部上に設けられ第2導電形である。前記第1電極は、前記第1半導体層の前記第1部分上に設けられる。前記第2電極は、前記第2半導体層上に設けられる。前記反射層は、前記基板の側面と前記積層体の側面とを覆い、前記発光部から放出される発光光に対して反射性である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主面を有する基板と、 前記主面上に設けられ、第1部分と前記第1部分と並置された第2部分とを有し、第1導電形の第1半導体層と、 前記第2部分上に設けられた発光部と、 前記発光部上に設けられ第2導電形の第2半導体層と、 を含む積層体と、 前記第1半導体層の前記第1部分上に設けられた第1電極と、 前記第2半導体層上に設けられた第2電極と、 前記基板の側面と前記積層体の側面とを覆い、前記発光部から放出される発光光に対して反射性の反射層と、 を備えた半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/10
FI (1件)：
H01L33/00 130
Fターム (12件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CB11 ,  5F141AA03 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA13 ,  5F141CA40 ,  5F141CB11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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