特許
J-GLOBAL ID:200903003494109772
発光装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-305418
公開番号(公開出願番号):特開2009-130237
出願日: 2007年11月27日
公開日(公表日): 2009年06月11日
要約:
【課題】装置全体からの光に対する色むらの抑制が可能な発光装置を提供する。【解決手段】電源が供給されることで発光する発光素子20と、発光素子20の天面を除く周囲に形成された光反射部30と、発光素子20および光反射部30の全体を覆うように形成された波長変換層40と、過度な電圧から発光素子20を保護するサブマウント素子50とを備えた。光反射部30は、酸化チタンの粉体を液状樹脂に分散させ、硬化させることで形成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電源が供給されることで発光する発光素子と、
前記発光素子の天面を除く周囲に形成された光遮蔽部と、
前記発光素子の天面に設けられ、調整された厚みに形成された波長変換層と
を備えたことを特徴とする発光装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L33/00 N
, C09K11/08 J
Fターム (21件):
4H001XA08
, 4H001XA13
, 4H001XA14
, 4H001XA20
, 4H001XA31
, 4H001XA38
, 4H001XA39
, 4H001XA56
, 4H001XA57
, 4H001XA62
, 4H001XA64
, 4H001YA58
, 4H001YA63
, 5F041AA11
, 5F041DA09
, 5F041DA12
, 5F041DA13
, 5F041DA21
, 5F041DA36
, 5F041DB03
, 5F041EE25
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
半導体発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-003788
出願人:松下電子工業株式会社
審査官引用 (9件)
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発光デバイス
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-014224
出願人:日亜化学工業株式会社
-
発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-266841
出願人:日亜化学工業株式会社, 株式会社小糸製作所
-
ビーム放射および/または受信素子
公報種別:公表公報
出願番号:特願2000-558566
出願人:オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニーオッフェネハンデルスゲゼルシャフト
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