半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-033154
公開番号（公開出願番号）：特開2013-118401
出願日： 2013年02月22日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
要約：

【課題】より良好な電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層上の導電性を有する第1の領域と、第1の領域上のソース電極と、酸化物半導体層上の導電性を有する第2の領域と、第2の領域上のドレイン電極と、酸化物半導体層上のゲート電極とを有し、ゲート電極は、第1の領域と重なる領域を有し、ゲート電極は、第2の領域と重なる領域を有する半導体装置である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上の、導電性を有する第1の領域と、前記第1の領域上の、ソース電極と、前記酸化物半導体層上の、導電性を有する第2の領域と、前記第2の領域上の、ドレイン電極と、前記酸化物半導体層上の、ゲート電極とを有し、前記ゲート電極は、前記第1の領域と重なる領域を有し、前記ゲート電極は、前記第2の領域と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , G02F 1/136

FI (6件)：

H01L29/78 617J , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , G02F1/1368

Fターム (90件)：

2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA38 , 2H092JA44 , 2H092KA05 , 2H092KA08 , 2H092NA21 , 2H092NA25 , 3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC31 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107HH04 , 5F110AA01 , 5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD11 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG19 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ22 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK11 , 5F110HK14 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-266012 出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079273 出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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