特許
J-GLOBAL ID：201103070974557802

III族窒化物半導体発光素子

発明者：
奥野 浩司

奥野 浩司 について

, 
宮崎 敦嗣

宮崎 敦嗣 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-047612
公開番号（公開出願番号）：特開2011-228646
出願日： 2011年03月04日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：
【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、駆動電圧を上昇させることなく、発光効率を向上させること【解決手段】各層がIII 族窒化物半導体から成り、n型層側クラッド層103、発光層104、p型層側クラッド層106を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子である。n層側クラッド層103は、Iny Ga1-y N(0<y<1)層131、Alx Ga1-x N(0<x<1)層132、及び、GaN層133の周期構造から成る超格子層である。Alx Ga1-x N(0<x<1)層132の厚さは、電子がトンネル可能であり、正孔を閉じ込める範囲の厚さである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
各層がIII 族窒化物半導体から成り、n型層側クラッド層、発光層、p型層側クラッド層を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子において、 前記n層側クラッド層は、Iny Ga1-y N(0<y<1)層、Alx Ga1-x N(0<x<1)層、及び、GaN層の周期構造から成る超格子層であることを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/32
FI (1件)：
H01L33/00 186
Fターム (6件)：
5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65
引用特許：
審査官引用 (4件)
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