窒化物半導体発光素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-050827
公開番号（公開出願番号）：特開2007-234648
出願日： 2006年02月27日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】高い発光出力を有しつつ順方向電圧(Vf)の低減が可能な窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】n型窒化物半導体と、p型窒化物半導体と、該n型窒化物半導体と該p型窒化物半導体との間に形成された活性層と、を少なくとも備えた窒化物半導体発光素子の製造方法であって、n型窒化物半導体はn型コンタクト層とn側GaN層とを少なくとも含み、n側GaN層は単層または複層のアンドープ層および/またはn型層からなり、n型コンタクト層と活性層との間にn側GaN層が形成されるように、有機金属気相成長法により窒素含有ガスをキャリアガスとしてn側GaN層を形成する工程を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法に関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型窒化物半導体と、p型窒化物半導体と、前記n型窒化物半導体と前記p型窒化物半導体との間に形成された活性層と、を少なくとも備えた窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記n型窒化物半導体はn型コンタクト層とn側GaN層とを少なくとも含み、前記n側GaN層は単層または複層のアンドープ層および/またはn型層からなり、前記n型コンタクト層と前記活性層との間に前記n側GaN層が形成されるように、有機金属気相成長法により窒素含有ガスをキャリアガスとして前記n側GaN層を形成する工程を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01L21/205

Fターム (24件)：

5F041AA24 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF04 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA59

引用特許：

出願人引用 (1件)

窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-062589 出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (12件)

半導体発光素子およびそれを使用した表示装置および光学式情報再生装置、並びに半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-402312 出願人：シャープ株式会社
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-112908 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体装置および半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-041708 出願人：ソニー株式会社

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