特許
J-GLOBAL ID：201303012941749441
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221386
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111060
特許番号：特許第4801241号
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上の島状半導体層と、
前記島状半導体層上のテーパー部を有するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のテーパー部を有するゲート電極とを有し、
前記島状半導体層は、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、第1のLDD領域、及び第2のLDD領域を有し、
前記ゲート絶縁膜のテーパー部は、前記ゲート電極の端部に接し、
前記チャネル形成領域と前記ソース領域または前記ドレイン領域との間に、前記第1のLDD領域と前記第2のLDD領域が挟まれており、前記第1のLDD領域は前記チャネル形成領域側に、前記第2のLDD領域は前記ソース領域または前記ドレイン領域側に配置され、
前記第1のLDD領域は前記ゲート電極のテーパー部の下に形成され、前記第2のLDD領域は前記ゲート絶縁膜のテーパー部の下に形成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 K
