特許
J-GLOBAL ID：201303014289888089

炭化珪素単結晶の製造方法及び装置

発明者：
ホン スン ワン

ホン スン ワン について

, 
キム ヨン ショル

キム ヨン ショル について


出願人/特許権者：
エスケー イノベーション カンパニー リミテッド

エスケー イノベーション カンパニー リミテッド について


代理人 (2件)： 正林 真之 ,  林 一好
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-534804
公開番号（公開出願番号）：特表2013-540094
出願日： 2011年10月17日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：
本発明は、溶液法を用いる炭化珪素単結晶の製造方法を提供し、これは、少なくとも1種の添加金属を含有するSi-C合金溶液に炭化珪素成長用種結晶基板を接触させて、炭化珪素成長用種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させるにあたり、反応の経過につれてSiと添加金属のモル比が初期に設定した値より減少すると合金溶液中にシリコンを投入する。これにより、溶液成長法を用いて炭化珪素単結晶を製造するにあたり、結晶成長速度を高めながらもその成長速度が維持されるだけでなく、不意に成長が止まる問題を防止することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
少なくとも1種の添加金属を含有するSi-C合金溶液に炭化珪素成長用種結晶基板を接触させ、炭化珪素成長用種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる方法であって、 反応の経過につれてSiと添加金属のモル比が初期に設定した値より減少すると合金溶液中にシリコン供給原料を投入する、炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04
FI (2件)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04
Fターム (13件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EC08 ,  4G077ED06 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA51 ,  4G077QA71
引用特許：
審査官引用 (3件)

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