特許
J-GLOBAL ID：201303015222097601

記憶素子およびその製造方法

発明者：
斎藤 國夫

斎藤 國夫 について

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神 好人

神 好人 について

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嶋田 勝

嶋田 勝 について

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片桐 祥雅

片桐 祥雅 について

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中田 俊司

中田 俊司 について

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榎本 陽一

榎本 陽一 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 長尾 常明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-032911
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228763
特許番号：特許第4703116号
出願日： 2004年02月10日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属、絶縁膜、半導体からなるMIS型トランジスタ構造を有し、 前記絶縁膜が少なくとも電荷移動層と電荷障壁層とを有し、前記電荷障壁層の欠陥密度は前記電荷移動層中の欠陥密度よりも少なく、かつ、前記電荷障壁層は電荷移動に対して前記電荷移動層よりも大きな障壁を持ち、前記電荷障壁層が前記半導体に接し、前記電荷移動層が前記金属に接し、前記電荷移動層の膜厚が前記電荷障壁層の膜厚よりも厚く、 前記金属と前記半導体間に印加する電圧でつくられる電界により前記電荷移動層中の電荷を移動させ、前記金属に印加した電圧とは反対極性の電荷が前記電荷移動層中の前記金属の側に、前記金属に印加した前記電圧と同極性の電荷が前記電荷移動層中の前記半導体の側に蓄積することにより前記MIS型トランジスタの閾値を変化させることを特徴とする記憶素子。
IPC (7件)：
H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 29/94 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/94 Z
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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