グラフェン膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：藤谷修 , 一色昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-022458
公開番号（公開出願番号）：特開2013-159521
出願日： 2012年02月03日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：

【課題】簡易な方法により任意の基板上に結晶性の良いグラフェン膜を低温で得る。【解決手段】炭素源の熱分解により、グラフェン膜を製造する方法である。反応容器内にはアルゴンガスが流入されている。反応容器内に、アルゴンガス流の上流側にショウノウを、その下流側に基板が設けられる。基板の温度は200°C以上、560°C以下の範囲に制御される。これにより、結晶性の良好なグラフェン膜を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭素源のプラズマ分解により、グラフェン膜を製造する方法であって、少なくとも炭素と水素とを有する化合物の原料気体を基板上に流し、該基板上にマイクロ波励起により前記原料気体の表面波プラズマを生成して、前記基板上に、グラフェン膜を製造することを特徴とするグラフェン膜の製造方法。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101Z

Fターム (17件)：

4G146AA01 , 4G146AA02 , 4G146AB07 , 4G146AC03A , 4G146AC03B , 4G146AD40 , 4G146BA11 , 4G146BA12 , 4G146BA20 , 4G146BA45 , 4G146BA48 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC16 , 4G146BC32B , 4G146BC33B , 4G146BC38B

引用特許：

審査官引用 (5件)

単結晶グラファイト膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-229947 出願人：梅野正義
カーボンナノ構造体を用いた光起電力素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-285668 出願人：国立大学法人名古屋大学, NUエコ・エンジニアリング株式会社
前処理方法、グラフェンの形成方法及びグラフェン製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-245747 出願人：東京エレクトロン株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (3件)

Low-temperature synthesis of large-area graphene-based transparent conductive films using surface wa
Low-temperature synthesis of large-area graphene-based transparent conductive films using surface wa
Low-temperature synthesis of large-area graphene-based transparent conductive films using surface wa

前のページに戻る