特許
J-GLOBAL ID：200903099869884369
カーボンナノ構造体を用いた光起電力素子
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-285668
公開番号（公開出願番号）：特開2007-096136
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】カーボンナノ構造体を用いた新規な特性を有する光起電力素子を提供する。【解決手段】p伝導型シリコン基板70上に、n伝導型カーボンナノウォール73を形成した。n伝導型カーボンナノウォール73の端面上に金をEB蒸着法により堆積し、第1電極75を形成した。また、p伝導型シリコン基板70の裏面に金をEB蒸着法により堆積し、第2電極76を形成した。このようにして、p伝導型シリコン基板70とn伝導型カーボンナノウォール73との接合によりpn接合を形成して、光起電力素子を形成した。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
p伝導型半導体と、そのp伝導型半導体上に成長させたn伝導型カーボンナノ構造体とを有する光起電力素子。
IPC (4件)：
H01L 31/04
, B82B 1/00
, B82B 3/00
, C01B 31/02
H01L31/04 A
, H01L31/04 B
, B82B1/00
, B82B3/00
, C01B31/02 101F
4G146AA11
, 4G146AB06
, 4G146AD23
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BC09
, 5F051AA01
, 5F051BA11
, 5F051CA15
, 5F051CA34
, 5F051CA40
, 5F051CB12
, 5F051CB29
, 5F051DA03
, 5F051DA07
, 5F051DA20
, 5F051FA06
, 5F051GA04
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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