特許

J-GLOBAL ID：201103060460003462

カーボンナノウォールの選択成長方法、およびカーボンナノウォールを用いた電子デバイス

発明者： 堀 勝 ,  近藤 博基 ,  平松 美根男 ,  加納 浩之
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学 ,  NUエコ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-059472
公開番号（公開出願番号）：特開2011-190156
出願日： 2010年03月16日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：

【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。【解決手段】SiO2 からなる基板100上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのTi膜101を形成した。次に、SiO2 基板100上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Tiからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、SiO2 からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、SiO2 からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Tiからの成長開始時間よりも長い。その結果、SiO2 基板100上のうち、Ti膜101が形成されずにSiO2 が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ti膜101上にのみ、カーボンナノウォール102が形成された。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基材の所定の面に、第1の材料からなる第1領域と、前記第1の材料よりもカーボンナノウォールの成長開始時間が長い第2の材料からなる第2領域とを設け、 カーボンナノウォールの成長時間を、前記第1の材料のカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、前記第2の材料のカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間とすることで、前記第1領域上にカーボンナノウォールを選択成長させる、 ことを特徴とするカーボンナノウォールの選択成長方法。

IPC (6件)：

C01B 31/02 ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

C01B31/02 101F ,  B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B

Fターム (74件)：

4G146AA07 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AB08 ,  4G146AC03A ,  4G146AC03B ,  4G146AD05 ,  4G146AD29 ,  4G146BA08 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC23 ,  4G146BC24 ,  4G146BC25 ,  4G146BC32B ,  4G146BC33B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA22 ,  4G146DA35 ,  4G146DA40 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC02 ,  5F045AC16 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045AF20 ,  5F045BB08 ,  5F045CA05 ,  5F045DA61 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F045EK07 ,  5F110AA16 ,  5F110CC10 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110EE03 ,  5F110EE22 ,  5F110FF02 ,  5F110FF12 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 微細構造体の製造方法および微細構造体、ならびに記録装置の製造方法および記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-294398   出願人：ソニー株式会社
• カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-218578   出願人：エルジー電子株式会社
• カーボンナノウォール及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-081314   出願人：国立大学法人名古屋大学, NUエコ・エンジニアリング株式会社

審査官引用 (3件)

• 微細構造体の製造方法および微細構造体、ならびに記録装置の製造方法および記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-294398   出願人：ソニー株式会社
• カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-218578   出願人：エルジー電子株式会社
• カーボンナノウォール及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-081314   出願人：国立大学法人名古屋大学, NUエコ・エンジニアリング株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• カーボンナノウォール成長における基板組成効果

審査官引用 (1件)

• カーボンナノウォール成長における基板組成効果