マスクブランク、転写用マスク及びこれらの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：特許業務法人津国 , 津国肇 , 柳橋泰雄 , 伊藤佐保子 , 小澤圭子 , 柴田明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-058423
公開番号（公開出願番号）：特開2013-225122
出願日： 2013年03月21日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：

【課題】繰り返し洗浄に伴う問題の発生を抑制することができ、寿命の長い転写用マスクを製造するためのマスクブランクを得る。【解決手段】透光性基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を備えたマスクブランクであって、前記透光性基板の、前記薄膜が形成されている側の主表面が、凹欠陥部を有し、前記薄膜が、遷移金属及びケイ素を含有する材料からなり、前記薄膜の表層に酸化層が形成されており、前記凹欠陥部上に形成された前記薄膜の部分の内部領域が低密度領域を有し、前記低密度領域における密度が、前記凹欠陥部のない主表面上に形成された前記薄膜の部分の内部領域における密度よりも相対的に低く、前記低密度領域の酸素濃度が、前記凹欠陥部のない主表面上に形成された前記薄膜の部分の前記表層を除いた内部領域の酸素濃度よりも相対的に高いことを特徴とするマスクブランクである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透光性基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を備えたマスクブランクであって、前記透光性基板の、前記薄膜が形成されている側の主表面が、凹欠陥部を有し、前記薄膜が、遷移金属及びケイ素を含有する材料からなり、前記薄膜の表層に酸化層が形成されており、前記凹欠陥部上に形成された前記薄膜の部分の内部領域が低密度領域を有し、前記低密度領域における密度が、前記凹欠陥部のない主表面上に形成された前記薄膜の部分の内部領域における密度よりも相対的に低く、前記低密度領域の酸素濃度が、前記凹欠陥部のない主表面上に形成された前記薄膜の部分の前記表層を除いた内部領域の酸素濃度よりも相対的に高いことを特徴とするマスクブランク。

IPC (3件)：

G03F 1/58 , G03F 1/32 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F1/58 , G03F1/32 , H01L21/30 502P

Fターム (7件)：

2H095BB03 , 2H095BB19 , 2H095BB25 , 2H095BC05 , 2H095BC08 , 2H095BC11 , 2H095BC24

引用特許：

出願人引用 (7件)

位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-352340 出願人：信越化学工業株式会社
位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-056697 出願人：信越化学工業株式会社
位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-277354 出願人：ホーヤ株式会社

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審査官引用 (4件)

スパッタリングターゲット及びこれを用いたフォトマスクブランクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-006738 出願人：HOYA株式会社
マスクブランク用基板の製造方法及びマスクブランクの製造方法、並びに転写マスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-298110 出願人：HOYA株式会社
シリカガラス基板及びその選別方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-397364 出願人：信越化学工業株式会社

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