特許
J-GLOBAL ID：200903083442342049
スパッタリングターゲット及びこれを用いたフォトマスクブランクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-006738
公開番号（公開出願番号）：特開2005-200688
出願日： 2004年01月14日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】 ターゲットをスパッタリングに連続して使用してもパーティクル、異物、及び欠陥が発生しにくい、金属とシリコンとを含む光半透過膜を形成するためのスパッタリングターゲット等を提供する。【解決手段】透光性基板上に、少なくとも金属とシリコンとを含む光半透過膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、 前記スパッタリングターゲットは、金属とシリコンとから実質的になり、 前記シリコンが、前記金属とシリコンとの化学量論的に安定な組成よりも多く含有されることにより、金属シリサイド粒子およびシリコン粒子として存在しており、 前記金属シリサイド粒子の平均粒径及び/又は粒度分布が、前記光半透過膜の欠陥発生率が所定の値以下となるように設定されることを特徴とするスパッタリングターゲット。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
透光性基板上に、少なくとも金属とシリコンとを含む光半透過膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリングターゲットは、金属とシリコンとから実質的になり、
前記シリコンが、前記金属とシリコンとの化学量論的に安定な組成よりも多く含有されることにより、金属シリサイド粒子およびシリコン粒子として存在しており、
前記金属シリサイド粒子の平均粒径及び/又は粒度分布が、前記光半透過膜の欠陥発生率が所定の値以下となるように設定されることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C14/34 A
, C04B35/58 106A
4G001BA49
, 4G001BA62
, 4G001BB49
, 4G001BB62
, 4G001BD31
, 4G001BD36
, 4G001BE22
, 4G001BE32
, 4K029BA52
, 4K029BC07
, 4K029CA06
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC34
, 4K029DC39
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (5件)
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