特許
J-GLOBAL ID:201303017454081631

アイソトープ生成システム用の自己シールドターゲット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 荒川 聡志 ,  小倉 博 ,  黒川 俊久 ,  田中 拓人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-506159
公開番号(公開出願番号):特表2013-527922
出願日: 2011年03月23日
公開日(公表日): 2013年07月04日
要約:
【課題】アイソトープ生成システム用の自己シールドターゲットを提供すること。【解決手段】アイソトープ生成システム用の自己シールドターゲットが提供される。ターゲットは、ターゲット材料を包むように構成され且つ荷電粒子ビームの通路を有する本体と、本体内にある構成要素とを含み、荷電粒子ビームが構成要素内に放射能を誘導する。加えて、本体の少なくとも一部が、構成要素をシールドするためにアルミニウムの密度値よりも大きな密度値を有する材料から形成される。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
アイソトープ生成システムのためのターゲットであって、 ターゲット材料を包むように構成され且つ荷電粒子ビームの通路を有する本体と、 前記本体内にあり且つ前記荷電粒子ビームが放射能を誘導する構成要素と、 前記構成要素をシールドするためにアルミニウムの密度値よりも大きな密度値を有する材料から形成された前記本体の少なくとも一部と、 を備える、ターゲット。
IPC (4件):
G21G 1/10 ,  G21G 4/08 ,  G21F 1/08 ,  H05H 6/00
FI (4件):
G21G1/10 ,  G21G4/08 G ,  G21F1/08 ,  H05H6/00
Fターム (5件):
2G085AA03 ,  2G085AA11 ,  2G085AA13 ,  2G085BA17 ,  2G085EA07
引用特許:
審査官引用 (10件)
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