半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-120773
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179358
出願日： 2013年06月07日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：

【課題】外部から局所的に圧力がかかっても破損しにくい半導体装置を提供する。また、外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供する。【解決手段】非単結晶半導体層を用いて形成された半導体素子を有する素子層上に、有機化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体を設け、加熱圧着することにより、有機化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体及び素子層が固着された半導体装置を作製する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に、剥離層と前記剥離層上の第1の絶縁層を形成し、前記第1の絶縁層上に非単結晶半導体層を用いた薄膜トランジスタ及び前記薄膜トランジスタを覆う第2の絶縁層を有する素子層を形成し、前記素子層上に、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を設け、前記構造体を加熱し圧着することにより、前記有機樹脂により前記素子層と前記繊維体を固着させ、前記繊維体の表面から、前記剥離層に至る溝を形成し、前記溝に水を供給することにより、前記剥離層から、前記有機樹脂により固着された前記素子層と前記繊維体を剥離し、前記剥離層は、タングステンを含む層と前記層上の金属酸化物層を有し、前記金属酸化物層は、酸化タングステンを有し、前記第1の絶縁膜は、酸化窒化珪素層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , G06K 19/077 , G06K 19/07

FI (3件)：

H01L27/12 B , G06K19/00 K , G06K19/00 H

Fターム (6件)：

5B035AA08 , 5B035BA05 , 5B035BB09 , 5B035CA03 , 5B035CA08 , 5B035CA23

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-151079 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
非接触ICカード
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-342147 出願人：大日本印刷株式会社
特許第4671600号

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