特許
J-GLOBAL ID：200903090751683060

半導体装置及びその作製方法

発明者：
杉山 栄二

杉山 栄二 について

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道前 芳隆

道前 芳隆 について

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大谷 久

大谷 久 について

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鶴目 卓也

鶴目 卓也 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-062128
公開番号（公開出願番号）：特開2008-257710
出願日： 2008年03月12日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：
【課題】外部から局所的に圧力がかかっても破損しにくい半導体装置を提供する。また、外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供する。【解決手段】非単結晶半導体層を用いて形成された半導体素子を有する素子層上に、有機化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体を設け、加熱圧着することにより、有機化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体及び素子層が固着された半導体装置を作製する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
非単結晶半導体層を含み、該非単結晶半導体層で能動素子が形成され、該能動素子が絶縁層で覆われた厚さ1μm以上10μm以下の素子層と、 局所的な押圧を緩和させる厚さ10μm以上100μm以下の封止層と、 を有し、 前記素子層の一方の面または向かい合う一対の面に前記封止層が固着されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
G06K 19/077 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G06K 19/07
FI (5件)：
G06K19/00 K ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 619A ,  G06K19/00 H
Fターム (68件)：
5B035AA08 ,  5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035CA03 ,  5B035CA23 ,  5F110AA26 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP23 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ22
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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