特許
J-GLOBAL ID:201303018499876933

多結晶シリコン

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 勝沼 宏仁 ,  中村 行孝 ,  浅野 真理 ,  小島 一真 ,  榎 保孝 ,  箱田 満
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-106344
公開番号(公開出願番号):特開2013-241330
出願日: 2013年05月20日
公開日(公表日): 2013年12月05日
要約:
【課題】自動的に包装され、形成される微粉画分を著しく低レベルに抑えた多結晶シリコン及び製造方法の提供。【解決手段】少なくとも5kgの質量を含み、プラスチックバッグに包装された塊の形態にあり、サイズ20〜200mmの塊を包含し、プラスチックバッグ中の微粉画分が900ppmw未満、好ましくは300ppmw未満、より好ましくは10ppmw未満である多結晶シリコン、及びCVDにより堆積させた多結晶シリコンロッドを塊に粉砕する工程、多結晶シリコン塊をサイズ区分20から200mm以下、45から200mm以下、90から200mm以下、10〜40mm、4〜15mm、又は1〜5mmに分別し、分類する工程、多結晶シリコン塊を計量ユニットで計量する工程、包装ユニットにより少なくとも5kgの質量に計量した多結晶シリコン塊を、少なくとも一つのプラスチックバッグ中に充填する工程を含む製造方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
少なくとも5kgの質量を含み、プラスチックバッグに包装された塊の形態にあり、サイズ20〜200mmの塊を包含する多結晶シリコンであって、前記プラスチックバッグ中の微粉画分が、900ppmw未満、好ましくは300ppmw未満、より好ましくは10ppmw未満である、多結晶シリコン。
IPC (1件):
C01B 33/02
FI (1件):
C01B33/02 E
Fターム (13件):
4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072BB12 ,  4G072DD01 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072MM23 ,  4G072MM26 ,  4G072MM28 ,  4G072NN13 ,  4G072NN14 ,  4G072QQ20 ,  4G072UU02
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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