特許
J-GLOBAL ID：201303018894626296

スピントルク移動磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)のソースローディング効果の低減

発明者：
カンホ・イ

カンホ・イ について

, 
スン・エイチ・カン

スン・エイチ・カン について

, 
シャオチュン・ジュウ

シャオチュン・ジュウ について


出願人/特許権者：
クアルコム,インコーポレイテッド

クアルコム,インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 村山 靖彦 ,  黒田 晋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-140492
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214768
出願日： 2013年07月04日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：
【課題】STT-MRAMのソースローディング効果を低減するシステム及び方法が開示される。【解決手段】特定の実施形態では、本方法は、メモリセルの安定動作を可能にする磁気トンネル接合(MTJ)構造のスイッチング電流比を決定することを含む。メモリセルは、アクセストランジスタに直列に結合されたMTJ構造を含む。本方法は、MTJ構造の自由層に入射するオフセット磁場を変更することも含む。変更されたオフセット磁場によって、MTJ構造がそのスイッチング電流比を示すようにする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
電子デバイスに集積されたプロセッサにおいて、メモリセルに含まれた磁気トンネル接合(MTJ)構造の自由層に入射する磁場を変更する量を決定することと、 前記自由層に入射するバランスのとれていないオフセット磁場を発生させるように、前記量に基づいて、前記メモリセルの設計における前記MTJ構造のピンド層の物理的寸法を変更することとを備えた方法。
IPC (5件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110
Fターム (20件)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119JJ07 ,  5F092AA04 ,  5F092AA14 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BE27
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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