特許
J-GLOBAL ID：200903069069853230

記憶素子及びメモリ

発明者：
細見 政功

細見 政功 について

, 
鹿野 博司

鹿野 博司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-116127
公開番号（公開出願番号）：特開2006-295000
出願日： 2005年04月13日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 スピン注入効率を向上することにより、書き込みに要する電流値を低減することができる記憶素子を提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17に対して、中間層16を介して磁化固定層31が設けられ、中間層16が酸化マグネシウムから成り、積層方向に電流を流すことにより記憶層17の磁化M1の向きが変化して、記憶層17に対して情報の記録が行われ、記憶層17又は磁化固定層31を構成する強磁性層17,13,15のうち少なくとも一層がNiFeBを主成分として成り、Niの含有量が50原子%以上80原子%以下であり、Bの含有量が10原子%以上30原子%以下である記憶素子3を構成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられ、 前記中間層が、酸化マグネシウムから成り、 積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われ、 前記記憶層又は前記磁化固定層を構成する強磁性層のうち少なくとも一層がNiFeBを主成分として成り、Niの含有量が50原子%以上80原子%以下であり、Bの含有量が10原子%以上30原子%以下である ことを特徴とする記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/10
FI (3件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/10
Fターム (8件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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