特許
J-GLOBAL ID：200903000942120180

記憶素子、メモリ

発明者：
五十嵐 実

五十嵐 実 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-299525
公開番号（公開出願番号）：特開2008-117930
出願日： 2006年11月02日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：
【課題】情報の記録を少ない電流量で安定して行うことができる記憶素子を提供する。【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層16と、この記憶層16に対してトンネル絶縁層15を介して、磁化の向きが固定された磁化固定層2とを有し、積層方向に電流Izを流すことにより、記憶層16の磁化M1の向きが変化して、記憶層16に対して情報の記録が行われ、磁化固定層2が非磁性層13を介して積層された複数層の強磁性層12,14から成り、この磁化固定層2のうち少なくとも最も記憶層16側に配置された強磁性層14において、強磁性層14の両端部に、それぞれ積層方向の磁化成分を有し、かつ向きが互いに異なる磁化M12a,M12bを有する、磁化領域が形成されている記憶素子を構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、 前記記憶層に対して非磁性層を介して、磁化の向きが固定された磁化固定層とを有し、 積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる記憶素子であって、 前記磁化固定層が、非磁性層を介して積層された複数層の強磁性層から成り、 前記磁化固定層は、前記複数層の強磁性層のうち少なくとも最も前記記憶層側に配置された前記強磁性層において、強磁性層の両端部に、それぞれ前記積層方向の磁化成分を有し、かつ向きが互いに異なる磁化を有する、磁化領域が形成されている ことを特徴とする記憶素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
Fターム (29件)：
4M119AA01 ,  4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119FF05 ,  4M119FF16 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD22 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC46 ,  5F092BE27
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
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