特許
J-GLOBAL ID：201303020260911294
半導体装置の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-033877
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306834
特許番号：特許第4954359号
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ガラス基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非単結晶半導体膜を形成し、
前記非単結晶半導体膜の露呈した表面に連続発光エキシマレーザを照射し、
前記連続発光エキシマレーザの出力Lw(W)と、照射面でのスポットサイズSp(cm2)とが、
Lw>1×105Sp、且つ、
Sp>2.5×10-5
の関係を満たしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/268 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 21/20
, H01L 21/268 F
, H01L 29/78 627 G
