特許
J-GLOBAL ID：201303020700667145
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-043747
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153180
出願日： 2013年03月06日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：
【課題】炭化珪素半導体ウエハ中の転位を、デバイスプロセス中に少ない作業増加により検出する方法を提供する。【解決手段】主面が概ね(0001)Si面である炭化珪素半導体ウエハ3を用い、熱酸化膜11の形成後に多結晶シリコン12を堆積し、その表面に、ウエハ中の転位64に対応するヒロック20を生じさせる。このヒロック20をレーザーの散乱光を画像処理することにより転位を検出する。これにより作業工数を少なくするとともに、検出した転位箇所を含む半導体装置を、不良として排除するかまたは良品として救済するかを判断する。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
主面が(0001)Si面である炭化珪素半導体ウエハの前記主面を熱酸化して熱酸化膜を形成した後に多結晶シリコンを堆積し、転位に起因して前記熱酸化膜の対応する表面に生ずる凸部と該凸部に対応して形成されるヒロックのうち、該多結晶シリコン表面に出現するヒロックを転位とみなして、転位の有無の検出および転位有の場合の検出位置を特定する転位検出工程を有し、
前記炭化珪素半導体ウエハが、第1導電型の耐圧層と、該耐圧層の一方の主表面に選択的に設けられる第2導電型のボディー領域と、該ボディー領域の表面層に選択的に設けられる第1導電型のソース領域と、該ソース領域表面層と前記耐圧層の表面層とに挟まれる前記ボディー領域表面に絶縁膜を介して載置されるゲート電極と、前記ボディー領域表面と前記ソース領域表面に共通にオーム性接触する表面電極と、前記耐圧層の他方の主表面にオーム性接触する裏面電極とを形成する絶縁ゲート型半導体装置とし、表面を観察するために堆積される前記多結晶シリコンの少なくとも一部が、前記絶縁ゲート型半導体装置の一構成要素とすることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/66
, H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/06
H01L21/66 N
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652S
, H01L29/78 652H
, H01L29/78 653C
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 658Z
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 658F
4M106AA01
, 4M106BA05
, 4M106CB19
, 4M106DH56
, 4M106DH60
