特許
J-GLOBAL ID：201303020949930270
光電変換素子およびその使用方法、撮像素子、光センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
渡辺 望稔
, 三和 晴子
, 伊東 秀明
, 三橋 史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-178047
公開番号（公開出願番号）：特開2013-041995
出願日： 2011年08月16日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：
【課題】加熱処理を行った場合にも優れた高光電変換効率および低暗電流性を示し、高い生産性で製造することができる光電変換素子を提供する。【解決手段】透明導電性膜15と、導電性膜11と、透明導電性膜15と導電性膜11との間に配置された光電変換層12および電子ブロッキング層16Aとを有する光電変換素子10aであって、光電変換層12が、ベンゼン環を少なくとも5個以上含み、総環数が7個以上であり、カルボニル基を含まない縮合多環炭化水素を含有し、電子ブロッキング層が、化合物からRa1〜Ra9の少なくとも1つの基を取り除いた残基を有し、ガラス転移点(Tg)が200°C以上である化合物Aを含有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明導電性膜と、導電性膜と、前記透明導電性膜と前記導電性膜との間に配置された光電変換層および電子ブロッキング層とを有する光電変換素子であって、
前記光電変換層が、ベンゼン環を少なくとも5個以上含み、総環数が6個以上であり、カルボニル基を含まない縮合多環炭化水素を含有し、
前記電子ブロッキング層が、一般式(A)で表される化合物からRa1〜Ra9の少なくとも1つの基を取り除いた残基を有し、ガラス転移点(Tg)が200°C以上である化合物Aを含有する、光電変換素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (22件)：
5F049MA02
, 5F049MB08
, 5F049NA01
, 5F049NA05
, 5F049NA07
, 5F049NA18
, 5F049NB03
, 5F049NB05
, 5F049PA06
, 5F049PA07
, 5F049RA02
, 5F049SE02
, 5F049SE03
, 5F049SE04
, 5F049SE05
, 5F049SE06
, 5F049SS01
, 5F049SS03
, 5F049TA13
, 5F049UA13
, 5F049UA20
, 5F049WA03
