特許

J-GLOBAL ID：201303021176372236

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 西川 毅一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-093752
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222839
出願日： 2012年04月17日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：

【課題】さらに小型化された半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、互いに対向する第1および第2の表面1a、1bを有する半導体基板1と、それぞれが半導体基板1に形成されており、かつ絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部Tを有する第1および第2の素子21、22とを備えている。第1および第2の素子21、22は第1および第2の表面1a、1bの少なくとも一方において第1導電型領域を共有しており、共有された第1導電型領域が第1および第2の素子21、22の双方においてエミッタとして機能する領域および第1および第2の素子の双方においてコレクタとして機能する領域のいずれかである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

互いに対向する第1および第2の表面を有する半導体基板と、 それぞれが前記半導体基板に形成されており、かつ絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部を有する第1および第2の素子とを備え、 前記第1および第2の素子は前記第1および第2の表面の少なくとも一方において第1導電型領域を共有しており、 前記共有された第1導電型領域が前記第1および第2の素子の双方においてエミッタとして機能する領域および前記第1および第2の素子の双方においてコレクタとして機能する領域のいずれかである、半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08

FI (14件)：

H01L27/08 102A ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 652R ,  H01L29/78 655C ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 655G ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 613Z ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 331E

Fターム (35件)：

5F048AA05 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BC01 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC12 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F110AA04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE24 ,  5F110GG02 ,  5F110GG23 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN71 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-249506   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平1-179456
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-315443   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-315691   出願人：富士電機株式会社