特許
J-GLOBAL ID：201303021228322470

シリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置

発明者：
大葉 茂

大葉 茂 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-190951
公開番号（公開出願番号）：特開2013-055143
出願日： 2011年09月01日
公開日（公表日）： 2013年03月21日
要約：
【課題】研磨布のドレッシング状態の変化によって生じる研磨速度の変化による研磨代のばらつきを抑制し、仕上がり厚さを高精度に制御できるシリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置を提供する。【解決手段】所定の研磨代となるように研磨時間を設定し、タンク内に貯蔵された研磨剤を研磨布に供給しながらシリコンウェーハを研磨布に摺接させて設定した研磨時間で研磨し、供給した研磨剤を前記タンク内に回収して循環させながらシリコンウェーハの研磨をバッチ式に繰り返すシリコンウェーハの研磨方法において、研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度を予めデータベースに記録しておく工程と、所定の研磨代となるように研磨時間を設定する際に、データベースに記録された研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度に基づいて研磨時間を設定する工程とを有するシリコンウェーハの研磨方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所定の研磨代となるように研磨時間を設定し、タンク内に貯蔵された研磨剤を定盤上に貼り付けられた研磨布に供給しながらシリコンウェーハを前記研磨布に摺接させて前記設定した研磨時間で研磨し、前記供給した研磨剤を前記タンク内に回収して循環させながら前記シリコンウェーハの研磨をバッチ式に繰り返し、一定のバッチ回数毎に前記研磨布をドレッシングするシリコンウェーハの研磨方法において、 前記研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度を予めデータベースに記録しておく工程と、 前記所定の研磨代となるように前記研磨時間を設定する際に、前記データベースに記録された前記研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度に基づいて前記研磨時間を設定する工程とを有することを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/07 ,  B24B 49/18 ,  B24B 57/02
FI (4件)：
H01L21/304 622R ,  B24B37/04 B ,  B24B49/18 ,  B24B57/02
Fターム (27件)：
3C034AA13 ,  3C034AA17 ,  3C034CB20 ,  3C034DD10 ,  3C034DD20 ,  3C047FF08 ,  3C047GG13 ,  3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058AA12 ,  3C058AA18 ,  3C058AC04 ,  3C058BA02 ,  3C058BA04 ,  3C058BC02 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17 ,  5F057AA02 ,  5F057AA12 ,  5F057BA12 ,  5F057BB03 ,  5F057CA19 ,  5F057DA02 ,  5F057FA17 ,  5F057FA43 ,  5F057GA06 ,  5F057GA16
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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