特許
J-GLOBAL ID：201303021442927044

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者：
手賀 直樹

手賀 直樹 について

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久本 大

久本 大 について

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高濱 高

高濱 高 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-109315
公開番号（公開出願番号）：特開2013-236040
出願日： 2012年05月11日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：
【課題】高性能で、かつ、信頼性の高い炭化珪素半導体装置を実現することのできる技術を提供する。【解決手段】チャネル領域をn-型、真性、またはp-型のチャネル領域112とp+型のチャネル領域109とで構成することにより、高いチャネル移動度と高いしきい値電圧とを実現する。さらに、ソース領域をn+型のソース領域107とn++型のソース領域111とで構成し、p+型のチャネル領域109とn++型のソース領域111との間にn+型のソース領域107を形成することにより、p+型のチャネル領域109内部の電界を緩和して、ゲート絶縁膜116の劣化を抑制し、かつ、n++型のソース領域111にソース配線用電極7を電気的に接続してコンタクト抵抗を低減する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1主面および前記第1主面と反対面の第2主面を有し、炭化珪素からなる第1導電型の基板と、 前記基板の前記第1主面上に形成された炭化珪素からなるエピタキシャル層と、 前記エピタキシャル層の表面から前記エピタキシャル層内に形成された前記第1導電型とは異なる第2導電型のボディ層と、 前記ボディ層の端部と離間して、前記エピタキシャル層の表面から前記ボディ層内に形成されたソース領域と、 前記ボディ層の端部と前記ソース領域との間に、前記エピタキシャル層の表面から前記ボディ層内に形成されたチャネル領域と、 前記チャネル領域に接して形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜に接して形成されたゲート電極と、 前記基板の前記第2主面から前記基板に形成された前記第1導電型のドレイン領域と、 を有し、 前記ソース領域は、 前記第1導電型の第1ソース領域と、 前記ボディ層の端部と前記第1ソース領域との間に、前記ボディ層の端部と離間し、前記第1ソース領域と接して形成された前記第1導電型の第2ソース領域と、 から構成され、 前記チャネル領域は、 前記ボディ層の端部と前記第2ソース領域との間に、前記ボディ層の端部から離間し、前記第2ソース領域と接して形成された前記第2導電型の第1チャネル領域と、 前記ボディ層の端部と前記第1チャネル領域との間に、前記第1チャネル領域と接して形成された第2チャネル領域と、 から構成されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/06
FI (12件)：
H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V
引用特許：
審査官引用 (5件)
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