半導体装置、及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-124557
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303272
出願日： 2005年04月22日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】オン抵抗の増大を抑えつつ、微細化可能な炭化珪素電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板4上にゲート絶縁膜11を介してゲート電極10を形成する。そして、ソース領域5とウェル領域14を半導体装置内側から外側に向かって徐々に深さが深くなるように階段状に形成する。ウェル領域14間に挟まれた領域であるJFET領域が基板深さ方向に対して徐々に広がる構造となっているので、高耐圧特性を維持したまま、素子の微細化に伴うオン抵抗の増加を抑えることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の表層部にJFET領域を挟んで形成された一対のウェル領域と、各前記ウェル領域の表層部に形成されたソース領域と、前記JFET領域とその両側の前記ウェル領域及び前記ソース領域とに重なるように前記半導体基板上に形成されたゲート構造と、を備える半導体装置であって、前記ウェル領域及び前記ソース領域は、前記JFET領域側の端部が階段状に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652C , H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (2件)

炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-041704 出願人：日産自動車株式会社
特許第3206727号

審査官引用 (7件)

特開平1-255276
特開平1-255276
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-017002 出願人：三菱電機株式会社

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