特許

J-GLOBAL ID：201303023947320597

トランジスタ、表示装置および電子機器

発明者： 牛倉 信一 ,  野元 章裕
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-257438
公開番号（公開出願番号）：特開2013-115099
出願日： 2011年11月25日
公開日（公表日）： 2013年06月10日
要約：

【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、 絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、 前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、 前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と を備えたトランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  G02F 1/136

FI (11件)：

H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 612B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220B ,  H01L29/28 250H ,  G02F1/1368

Fターム (94件)：

2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JA47 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB56 ,  2H092KA09 ,  2H092MA02 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104DD71 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104FF17 ,  4M104FF26 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104HH08 ,  4M104HH09 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG48 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HM02 ,  5F110NN02 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 有機半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-208210   出願人：パイオニア株式会社
• 有機電界効果トランジスタ及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-350893   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-378476   出願人：カシオ計算機株式会社
• 表示パネル及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-177993   出願人：カシオ計算機株式会社
• 有機半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-177880   出願人：株式会社東芝
• 薄膜トランジスタパネル及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-305140   出願人：カシオ計算機株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-177941   出願人：株式会社日立製作所
• 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-154779   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭62-230054