特許
J-GLOBAL ID：201303024216239290
窒化物半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
渡邉 一平
, 木川 幸治
, 佐藤 博幸
, 小池 成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-037693
公開番号（公開出願番号）：特開2013-123023
出願日： 2012年02月23日
公開日（公表日）： 2013年06月20日
要約：
【課題】寄生容量及び漏洩電流の発生を防止することができる窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体素子は、基板110と、基板110上に下部窒化物半導体層130及び上部窒化物半導体層140からなる窒化物半導体層と、下部窒化物半導体層130と上部窒化物半導体層140との間の界面を含んで形成されたアイソレーション(isolation)領域150と、上部窒化物半導体層140上に形成されたドレイン電極161、ソース電極171、及びゲート電極181と、を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に下部窒化物半導体層及び上部窒化物半導体層からなる窒化物半導体層と、
前記下部窒化物半導体層と上部窒化物半導体層との間の界面を含んで形成されたアイソレーション(isolation)領域と、
上部窒化物半導体層上に形成されたドレイン電極、ソース電極、及びゲート電極と、を含む窒化物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
H01L29/80 H
, H01L29/80 L
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR09
, 5F102GR12
, 5F102GS09
, 5F102GV03
, 5F102HC04
, 5F102HC10
