特許
J-GLOBAL ID：201103048610381592

化合物半導体装置の製造方法及び化合物半導体装置

発明者：
秋山 深一

秋山 深一 について

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温井 健司

温井 健司 について

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加藤 睦

加藤 睦 について

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渡辺 芳孝

渡辺 芳孝 について

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伊藤 哲也

伊藤 哲也 について

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藤沢 洋一

藤沢 洋一 について

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佐藤 俊哉

佐藤 俊哉 について

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細田 勉

細田 勉 について

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佐藤 勇一

佐藤 勇一 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-107654
公開番号（公開出願番号）：特開2011-238700
出願日： 2010年05月07日
公開日（公表日）： 2011年11月24日
要約：
【課題】リフトオフ法を用いずに、簡易な手法で化合物半導体装置のゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を各種パターンに欠陥を生ぜしめることなく形成する。【解決手段】AlGaN/GaN・HEMTを製造する際に、化合物半導体層上に保護絶縁膜8を形成し、保護絶縁膜8に開口を形成し、開口を埋め込む導電材料を保護絶縁膜8上に形成し、導電材料上の開口上方に相当する部位にマスクを形成し、マスクを用いて導電材料をエッチングしてゲート電極15(又はソース電極45及びドレイン46)を形成し、その後、保護絶縁膜8上に保護絶縁膜16を形成し、保護絶縁膜8,16に開口を形成し、開口を埋め込む導電材料を保護絶縁膜16上に形成し、導電材料上の開口上方に相当する部位にマスクを形成し、マスクを用いて導電材料をエッチングしてソース電極22及びドレイン23(又はゲート電極53)を形成する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
基板の上方に化合物半導体層を形成する工程と、 前記化合物半導体層の上方に第1の絶縁膜を形成する工程と、 前記第1の絶縁膜に前記化合物半導体層の一部を露出する第1の開口を形成する工程と、 前記第1の開口を埋め込むように前記第1の絶縁膜上に少なくともゲート絶縁膜を介して第1の導電材料を形成する工程と、 前記第1の導電材料上の前記第1の開口の上方に相当する部位に第1のマスクを形成し、前記第1のマスクを用いて少なくとも前記第1の導電材料を加工してゲート電極を形成する工程と、 前記ゲート電極を覆うように前記第1の絶縁膜の上方に第2の絶縁膜を形成する工程と、 少なくとも前記第2の絶縁膜及び前記第1の絶縁膜に前記化合物半導体層の一部を露出する一対の第2の開口を形成する工程と、 前記第2の開口を埋め込むように前記第2の絶縁膜上に少なくとも第2の導電材料を形成する工程と、 前記第2の導電材料上の前記第2の開口の上方に相当する部位に第2のマスクを形成し、前記第2のマスクを用いて少なくとも前記第2の導電材料を加工してソース電極及びドレイン電極を形成する工程と を含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/78
FI (6件)：
H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 301B
Fターム (99件)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB34 ,  4M104BB38 ,  4M104CC05 ,  4M104DD26 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF18 ,  4M104FF21 ,  4M104HH15 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ04 ,  5F102GR09 ,  5F102GS04 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GT06 ,  5F102GV05 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F140AA40 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BB06 ,  5F140BB15 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE16 ,  5F140BE19 ,  5F140BF05 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BF60 ,  5F140BG30 ,  5F140BG38 ,  5F140BH21 ,  5F140BH27 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK17 ,  5F140BK23 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CC13 ,  5F140CC16 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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