特許

J-GLOBAL ID：200903030398747790

半導体ウェハー及びその製造方法

発明者： 田中 丈士
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-072587
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261179
出願日： 2005年03月15日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】窒化物半導体側の層構造を工夫することにより、電界効果トランジスタにおけるソース電極及びドレイン電極のコンタクト抵抗を大きく低減させる半導体ウェハー及びその製造方法を提供する。【解決手段】窒化アルミニウムガリウムの上側に接する窒化物半導体内へ二次元電子ガスを形成させる為の半導体ウェハー構造であって、少なくとも、第一の基板101と、(000-1)窒素面が表面側となるように形成されたウルツ鉱型の第一の窒化物半導体層102と、該第一の窒化物半導体層の上に形成され、且つ該第一の窒化物半導体層よりも組成に占めるアルミニウムの割合が大きい第二の窒化物半導体層103、104と、該第二の窒化物半導体層の上に形成され、且つ該第二の窒化物半導体層よりも電子親和力の大きい第三の窒化物半導体層105とからなる半導体ウェハー構成とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウムガリウムの上側に接する窒化物半導体内へ二次元電子ガスを形成させる為の半導体ウェハー多層構造であって、少なくとも、 第一の基板と、 (000-1)窒素面が表面側となるように形成されたウルツ鉱型の第一の窒化物半導体層と、 該第一の窒化物半導体層の上に形成され、且つ該第一の窒化物半導体層よりも組成に占めるアルミニウムの割合が大きい第二の窒化物半導体層と、 該第二の窒化物半導体層の上に形成され、且つ該第二の窒化物半導体層よりも電子親和力の大きい第三の窒化物半導体層と、 を有することを特徴とする半導体ウェハー。

IPC (3件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (16件)：

5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ02 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC24

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置および電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-175246   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082778   出願人：シャープ株式会社
• 電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084933   出願人：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ``Two-dimensional electron gases in Ga-face and N-face AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-in