特許
J-GLOBAL ID:201303024408109390

保磁力分布磁石の保磁力特定方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  石川 滝治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-010214
公開番号(公開出願番号):特開2013-148508
出願日: 2012年01月20日
公開日(公表日): 2013年08月01日
要約:
【課題】保磁力分布磁石を破壊等することなく、当該保磁力分布磁石の任意部位(任意の仮想的に分割された領域)における保磁力(平均保磁力)を精度よく特定することのできる保磁力分布磁石の保磁力特定方法を提供する。【解決手段】本発明の保磁力特定方法は、保磁力分布磁石Eの任意平面に対して容易磁化方向に延びる複数の分割領域A1〜A7を仮想的に設定し、各分割領域に対応するサーチコイル3a〜3gによる測定結果から各分割領域の減磁曲線を作成し、必要に応じて相対的に内側に位置する分割領域の減磁に起因する誤差を取り除いて減磁曲線を補正するステップ、各減磁曲線を2階微分して該減磁曲線における減磁開始点を示す変曲点の磁束密度Bxを特定するステップ、保磁力分布磁石の材料定数であるリコイル比μrを直線の勾配とし、残留磁束密度Br、保磁力Hxと磁束密度Bxからなる関係式に特定済みのBxを代入してHxを求めるステップからなる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
保磁力分布磁石のうち、容易磁化方向に沿う方向で切断してできる平面内で保磁力が相違している保磁力分布磁石において、該平面における任意箇所の保磁力を特定する保磁力分布磁石の保磁力特定方法であって、 保磁力分布磁石の前記平面に対して容易磁化方向もしくは容易磁化方向に直交する方向に延びる複数の分割領域を仮想的に設定し、それぞれの前記分割領域に対応した位置にサーチコイルとホール素子を配し、それぞれのサーチコイルによる測定結果から各分割領域に固有の減磁曲線を作成するものとし、この際、分割領域の中で中央に位置する第1分割領域は他の分割領域よりも最初に減磁する領域であることから第1分割領域の減磁曲線は他の分割領域の減磁の影響を受けないものとし、次に、第1分割領域の外側に位置する第2分割領域の減磁曲線はその内側に位置する第1分割領域の減磁の影響を受けるものとして既に作成されている第2分割領域の減磁曲線に対して第1分割領域の減磁に起因する誤差を補正して補正後の減磁曲線を第2分割領域の減磁曲線とし、以後、第2分割領域の外側に位置する第3分割領域の減磁曲線はその内側に位置する第2分割領域の減磁の影響を受けるものとして既に作成されている第3分割領域の減磁曲線に対して第2分割領域の減磁に起因する誤差を補正して補正後の減磁曲線を第3分割領域の減磁曲線とする第1のステップ、 作成されたそれぞれの前記減磁曲線もしくは前記補正後の減磁曲線を2階微分して該減磁曲線における減磁開始点を示す変曲点の磁束密度Bxを特定する第2のステップ、 前記保磁力分布磁石の材料定数であるリコイル比μrを直線の勾配とし、残留磁束密度Br、保磁力Hxと磁束密度Bxの関係式であるBx=-μrHx + Brに第2のステップで特定されたBxを代入してその際のHxを求める第3のステップからなり、 第2のステップで2以上の変曲点が特定された際には、第3のステップでそれぞれの変曲点に対応する保磁力Hxを特定し、特定された2以上の該保磁力Hxを有する2以上の小分割領域が前記分割領域内に存在することが特定されるようになっており、第1のステップでは、相対的に外側に位置する分割領域の補正後の減磁曲線を作成するに当たり、解析におけるステップ時間ごとに、内側に位置する分割領域の磁束密度と、外側に位置する分割領域の磁束密度のうち、サーチコイルの測定結果に基づく減磁曲線から求められた内側の分割領域の減磁の影響を受けない場合の磁束密度と減磁の影響を受けている磁束密度の差分値を特定して、前記内側に位置する分割領域の磁束密度と前記磁束密度の差分値に関する第1の関係式を求め、一方で、分割領域に固有の磁化(B=J+μ0H(B:磁束密度、J:磁化、H:磁界、μ0:真空の透磁率))と磁界に関する第2の関係式を解析にて特定しておき、前記ホール素子にて測定されている前記外側に位置する分割領域の磁界を前記第2の関係式に代入して対応する磁化を特定し、該磁化から求めた磁束密度を前記第1の関係式に代入して対応する磁束密度の差分値を特定してこれを前記誤差とし、サーチコイルの測定結果に基づく減磁曲線における磁束密度から該誤差を取り除くことによって補正後の減磁曲線を作成する保磁力分布磁石の保磁力特定方法。
IPC (1件):
G01R 33/12
FI (1件):
G01R33/12 M
Fターム (3件):
2G017AD02 ,  2G017CA04 ,  2G017CB18
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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