特許

J-GLOBAL ID：201303025004202172

半導体素子

発明者： 須澤 英臣 ,  倉田 求 ,  三上 真弓
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-256360
公開番号（公開出願番号）：特開2013-062529
出願日： 2012年11月22日
公開日（公表日）： 2013年04月04日
要約：

【課題】チャネル長Lが短く微細化が可能な、酸化物半導体を用いたトップゲート型の半導体素子を提供することを課題とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】絶縁表面上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層とを有し、ソース電極層及びドレイン電極層は側壁を有し、側壁は前記酸化物半導体層の上面と接する半導体素子である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上の酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、 前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上のゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、 前記ソース電極層の下端を超えて延在し、前記酸化物半導体層の上面と接する領域を有する金属材料を有する第1の層と、 前記ドレイン電極層の下端を超えて延在し、前記酸化物半導体層の上面と接する領域を有する金属材料を有する第2の層と、を有し、 前記酸化物半導体層は、前記金属材料を有する第1の層と重なる第1の領域を有し、 前記第1の領域は、前記ゲート電極層と重なる領域を有し、 前記酸化物半導体層は、前記金属材料を有する第2の層と重なる第2の領域を有し、 前記第2の領域は、前記ゲート電極層と重なる領域を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/417

FI (7件)：

H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 L ,  H01L29/44 S ,  H01L29/50 M

Fターム (105件)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD12 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD61 ,  4M104DD63 ,  4M104DD64 ,  4M104DD79 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104FF17 ,  4M104GG08 ,  4M104GG13 ,  4M104HH14 ,  5F110AA01 ,  5F110AA09 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM03 ,  5F110HM14 ,  5F110HM20 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ZnO半導体薄膜及びZnO薄膜トランジスタの製造方法、並びにその方法を適用したZnO薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-097075   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-284538   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ及びその製法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-545474   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-228573   出願人：ソニー株式会社