基板上に酸化ケイ素層を形成する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-138042
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243375
出願日： 2013年07月01日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：

【課題】多孔度が小さく、ウェットエッチレート比がより小さく、またクラッキングがより少ない、低-k炭素系膜を堆積させる方法を提供する。【解決手段】基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法は、堆積チャンバに基板を提供することを含む。第1ケイ素含有前駆体、第2ケイ素含有前駆体及びNH3プラズマが反応して酸化ケイ素層を形成する。第1ケイ素含有前駆体は、Si-H結合及びSi-Si結合の少なくとも1つを含む。第2ケイ素含有前駆体は、少なくとも1つのSi-N結合を含む。堆積された酸化ケイ素層はアニールされる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法であって、堆積チャンバに基板を提供するステップと、酸化ケイ素層を形成するために、第1ケイ素含有前駆体、第2ケイ素含有前駆体及びNH3プラズマを反応させるステップであって、前記第1ケイ素含有前駆体は、Si-H結合及びSi-Si結合の少なくとも1つを含み、前記第2ケイ素含有前駆体は、少なくとも1つのSi-N結合を含む、ステップと、前記堆積された酸化ケイ素層をアニールするステップと、を含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/42 , C23C 16/50

FI (4件)：

H01L21/316 X , H01L21/316 P , C23C16/42 , C23C16/50

Fターム (30件)：

4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA01 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058BA08 , 5F058BA09 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BH01 , 5F058BH03 , 5F058BH16 , 5F058BH17 , 5F058BH20 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (6件)

低誘電率有機ケイ酸塩ガラス膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-162174 出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
化学気相成長法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-126943 出願人：日本電気株式会社
光励起堆積プロセス中にシリコン含有材料を形成する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-518299 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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